MOSFETグリッド ドライバー LT4200
IGBT絶縁シリコン

MOSFETグリッド ドライバー - LT4200 - ADI/リニアテクノロジー - IGBT / 絶縁 / シリコン
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特徴

特性
MOSFET, IGBT, 絶縁, シリコン

詳細

ライブ・バックプレーンへの安全なボード挿入を実現 広い動作電圧範囲:2.9V~15V 確認済み安全動作領域:7.5W√S 電流検出素子付きの1.2mΩ MOSFET ±4%電流モニタ出力 調整可能な電流制限閾値 温度モニタ出力 過熱保護 故障になるまでの調整可能な電流制限タイマー パワー・グッド出力と故障出力 調整可能な突入電流制御 精度±2.5%の低電圧および過電圧保護 36ピン(5mm × 8mm)QFNパッケージを採用 LT4200は、ライブのバックプレーンからの安全なボード着脱を可能にする、ホット・スワップ・アプリケーション用の統合化されたソリューションです。このデバイスは、小さいフォーム・ファクタのアプリケーション向けの1つのパッケージに、ホット・スワップ・コントローラ、パワーMOSFET、および電流検出抵抗を内蔵しています。MOSFETの安全動作領域は出荷テストが行われており、ホット・スワップ・アプリケーションのストレスに耐えられることが保障されています。 LT4200は、最大85°Cの周辺温度において、50Aでの連続動作が可能です。独立した突入電流制御と、精度±12%で57Aの電流制限(出力に依存したフィードバック付き)を提供します。電流制限閾値は、ISETピンを使用して動的に調整できます。追加機能として、グラウンドを基準とした電流検出のための電流モニタ出力とMOSFET温度モニタ出力があります。熱制限、過電圧、低電圧、およびパワー・グッド・モニタリングも提供します。 高可用性サーバー ソリッド・ステート・ドライブ

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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。