スイッチングアンプ SA110

ハイブリッドスイッチング周波数高電圧

SA110は、ゲートドライブを内蔵したシリコンカーバイド（SiC）MOSFETを利用した、Apex MicroTechnology 初の高電流、高電圧ハーフHブリッジです。 SiC MOSFETは、スイッチング損失の低減、導通損失の低減、および温度全体にわたるRDS（オン）の低依存性を提供します。 SA110は、ゲートドライブ制御を内蔵し、非常に高い400kHzのMAXスイッチング周波数、およびAグレードのバリエーションで28Aの連続出力電流を特長としています。 このハイブリッドは12ピンPSIPパッケージで提供され、保護機能とともに小型フットプリントを提供します。 ゲート駆動の統合により、寄生的影響が低減され、制御が容易になるため、スイッチング速度が大幅に向上します。 SA110は、全温度性能、高効率、小型設計に重点を置くアプリケーションに最適です。