太陽電池用メッキライン Meco DPL

直接金属化

レーザーアブレーションによってSiNx層が開放された次世代シリコン太陽電池の場合、Meco Direct Plating Line（DPL）は、高抵抗エミッタ上にNi-Ag、Ni-Cu-AgまたはNi-Cu-Snの高密度層をプレートすることができます。 これにより、フロントサイドのメタライゼーションにAgペーストが不要になったため、効率が最大 1% 向上し（演旨）、大幅なコスト削減（US$/Wp）が実現します。 主な特長 -垂直製品ハンドリング -めっき化学物質の低ドラッグアウト -コンパクトな機械設計/メンテナンスが容易 -インラインめっきプロセス/高稼働時間 -効率改善：直接金属化による最大1％（演旨） -部品表（BoM）最大0.05 US$/Wpはこれ以上低下しませんフロントサイドメタライゼーションにはAgが必要 -実績のある機械コンセプト（半導体業界では350台以上） -Meco 仕様によるプロセス起動 -セルサイズ：5 x 5インチ、6 x 6インチ -金属オプション：Ni-Ag、Ni-Cu-AgまたはNi-Cu-Sn -シード層：シリコンエミッタ（未満） -プロセス速度：1,500～3,000UPH（パイロットライン：100～500UPH） -生産能力：50～100MW -細胞効率向上：最大1％（演旨） -Agペーストでの節約：100%