レーザーアブレーションによりSiNx層が形成された次世代シリコン太陽電池では、Mecoダイレクトプレーティングライン(DPL)により、Ni-Ag、Ni-Cu-Ag、またはNi-Cu-Snの緻密な層を高オーミックエミッターにめっきすることができます。この結果、効率が最大1%(絶対値)向上し、前面メタライゼーションにAgペーストが不要になるため、大幅なコスト削減(US$/Wp)が可能になります。
主な特徴
-垂直製品ハンドリング
-めっき薬液の引きずりが少ない
-コンパクトな機械設計/メンテナンスが容易
-インラインめっきプロセス/高アップタイム
-効率改善:ダイレクトメタライゼーションで最大1%(abs.)
-前面メタライゼーションにAgが不要なため、材料費(BoM)が最大0.05US$/Wp低い。
-実績のある装置コンセプト(半導体業界で350台以上使用)
-メコ社によるプロセス立ち上げ
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