Bourns® IGBTディスクリートBIDシリーズは、MOSゲートとバイポーラトランジスタの技術を組み合わせ、高電圧および大電流アプリケーションに最適なコンポーネントを実現します。このデバイスは、高度なトレンチゲート・フィールドストップ技術を使用しており、コレクタ・エミッタ飽和電圧(VCE(sat))の低下とスイッチング損失の低減を実現しながら、ダイナミック特性の制御性を高めています。さらに、この構造によりデバイスのロバスト性が向上し、RTHが低くなります。Bourns® IGBTソリューションは、SMPS、UPS、PFCアプリケーションに適しています。
---