特にほとんどのタイプの負荷のために設計されている→の任意十字の半導体継電器。
入力(transil)および出力(RC+VDR)の→の過電圧の保護。
長いののためのTMSの²の技術の出力の→の続けてサイリスタ
寿命の期待、RoHSの空間の自由なプロセス。
→の直接銅の結合(DCB)の技術。
→大きい制御範囲:入力電流の振幅制限器との4-30VDC。
入力の緑LEDの視覚化。
→はIEC/EN60947-4-3およびIEC/EN60947-4-2に従って設計した
IP20で造られる→ -折り返しとの保護
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