電界放出形走査電子顕微鏡 HEM6000
実験用素材分析用半導体用

電界放出形走査電子顕微鏡
電界放出形走査電子顕微鏡
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特徴

タイプ
電界放出形走査電子
応用
実験用, 素材分析用, 半導体用, 地質学用
エルゴノミクス
正立型
観察法
明視野式
構成
床置き
電子源
ショットキー電界放出
レンズ設計
浸漬
検出器の特徴
インレンズSE, 反射電子
オプションと付属品
コンピューター制御式
その他の特徴
高解像度, 作業用広範囲視覚および距離, 自動, 高速, 半導体用, 超高解像度
倍率

最少: 66 unit

最大: 1,000,000 unit

分解能

最少: 0.9 nm

最大: 1.5 nm

1.3 nm

長さ

1,716 mm
(67.6 in)

1,235 mm
(48.6 in)

詳細

大容量試料のクロススケールイメージングのための高速走査電子顕微鏡 CIQTEK HEM6000は、高輝度大電流ビーム電子銃、高速電子ビーム偏向システム、高電圧試料ステージ減速、ダイナミック光軸、液浸電磁&静電コンボ対物レンズなどの技術を駆使し、ナノスケールの分解能を確保しながら高速画像取得を実現しました。 自動化された操作プロセスは、より効率的でスマートな大面積高分解能イメージングワークフローなどのアプリケーション向けに設計されています。撮像速度は、従来の電界放出型走査電子顕微鏡(fesem)の5倍以上に達します。 1.画像取得速度:10 ns/ピクセル、2*100 M pixel/s 2.分解能:1.3 nm@3 kV, SE; 1.5 nm@1 kV, SE,0.9 nm@30 kV, STEM 3.加速電圧:0.1 kV~6 kV(減速モード),6 kV~30 kV(非減速モード) 4.視野:最大1*1 mm2、高解像度最小歪み64*64 um2 5.ステージ繰り返し精度:X ±0.6 um,Y ±0.3 um 6.信号電子フィルタリング方式:SE/BSE無信号切替、混合比調整可能 7.完全静電高速ビーム偏向システム:高分解能大視野イメージングが可能。最大視野32um*32um、4nm/ピクセル 8.サンプルステージ減速技術:入射電子のランディング電圧を低減し、信号電子の捕捉効率を向上 9.電磁&静電コンボ液浸対物レンズビーム偏向システム:対物レンズ磁界により試料を液浸し、低収差高分解能イメージングに貢献。

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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。