ウェハー用計量システム EVG®40 NT2

EV GROUP、3D ヘテロジニアス・インテグレーションに対応した新規高速高精度測定技術を発表 EVG®40 NT2 が、飛躍的に向上した総合測定性能でウェーハレベル・ダイレベルのハイブリッド接合、そしてマスクレス露光の実装を加速 半導体向けのウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group（本社：オーストリア　ザンクト・フローリアン、以下：EVG）は、ウェーハ・トゥ・ウェーハ（W2W）、ダイ・トゥ・ウェーハ（D2W）、そしてダイ・トゥ・ダイ（D2D）接合、およびマスクレス露光アプリケーションのオーバーレイ精度や最小線幅（CD）測定を可能にするEVG®40 NT2を発表しました。 大量生産向けに設計されたEVG40 NT2は、フィードバック制御によるリアルタイムでのプロセス補正と最適化を可能にすることで、デバイスメーカーやファウンドリ、パッケージングハウスによる3D / ヘテロジニアス・インテグレーション製品の市場導入を加速し、高価な基板の廃棄を回避するとともに生産歩留まりの向上を支援します。 EVGは、12月15日から17日に東京ビッグサイトで開催されるSEMICON Japanに出展し、東５ホール ブース番号5341にて様々なソリューションに加え、この新たなEVG40 NT2をご紹介します。 新たな検査工程の需要を後押しするヘテロジニアス・インテグレーションの技術ロードマップ 従来の2Dでのスケーリング則は多くの半導体デバイス製造に於いて性能コスト比で既に限界に達しており、半導体業界は新世代デバイスの性能を引き続き向上させる為、複数の異なる構成部品つまりフィーチャサイズや基板材料の異なるダイを個別に製造し、一つのデバイスに組立・パッケージングするヘテロジニアス・インテグレーションへと大きく舵を切っています。 W2W、D2W、D2D接合ではいずれも相互接続されたデバイス間の良好な電気的接続を実現する為、高精度位置合わせとオーバーレイ精度が必要です。接続ピッチは製品の世代ごとに狭くなるため、ウェーハやダイ接合に於ける位置合わせとオーバーレイ・プロセスにもまた、それに応じたスケーリングが不可欠です。高精度・高頻度での測定実施によって各製造工程での問題や課題をいち早く特定し、プロセス全体の最適化や基板のリワークを可能にする事で、生産歩留まりは飛躍的に向上します。 3D / ヘテロジニアス・インテグレーションを実現する革新的なリソグラフィ手法であるマスクレス露光では、大きな反りや歪みによってダイのシフトが生じた基板に対しても、正確なパターン忠実性とオーバーレイの要求がますます高まっています。これにはダイの位置を正確に把握する為の測定が欠かせません。