オンセミは、EVトラクション・インバータ、DC-DCコンバータ、オフボード・チャージャなどの高電力アプリケーション向けに最適化された、ベアダイ・タイプの第3世代EliteSiC炭化ケイ素(SiC)MOSFETを提供します。
オンセミの最新世代のSiC MOSFET技術に基づくM3e製品ファミリは、はんだ付け、焼結、ワイヤボンド、ダイトップ銅、リボンボンドなど、複数のパッケージング技術に適した最適化されたトップメタルとバックメタルのオプションを備え、クラス最小のオン抵抗を実現します。オンセミのM3e製品を利用することで、パッケージングの柔軟性により、電気自動車のトラクション・インバータ・アプリケーションにおいて、電力密度と効率を高めながら、システムのサイズ、重量、アプリケーションの複雑さを低減することができます。
シリコンベースのソリューションから炭化ケイ素ベースのソリューションに移行することで、バッテリー電気自動車のトラクション・インバータの効率と航続距離を最大5%改善することができます。
アプリケーション
主なトラクション・インバータ用途
高電圧DC/DCコンバータ
オフボードチャージャー
最終製品
1200V SiC MOSFETベアダイス
特徴
第3世代SiC MOSFET
1200Vの高耐圧
温度による低導通損失
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