フォトダイオードレーザー出力検出器 PH100-SI-HA-OD1-D0

フォトダイオードレーザー出力検出器
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特徴

特性
フォトダイオード

詳細

大型アパーチャ シリコンセンサーには10 mm Ø 3つのバージョン • シリコン350 - 1080 nm、最大750mW • シリコンUV 210 - 1080 nm、最大38mW • ゲルマニウム800 - 1650 nm、最大500mW アッテネーターの選択 • OD0.3: 50% トランスミッション(PH100-SiUV) • OD1: 10% トランスミッション • OD2: 1% トランスミッション 高精度 新 PH100-Si-HAは、キャリブレーションの安定性に優れています。 精密較正 1nmステップでの波長の選択 スマートインターフェース すべての較正データを収容 測定性能 最大平均出力1 300 mW ノイズ等価出力2 200 pW スペクトル領域 400 - 1080 nm 標準上昇時間 0.2 s 出力較正不確実性3 ±5.0 % (400 - 419 nm) ±4.0 % (420 - 899 nm) ±5.0 % (900 - 1009 nm) ±7.5 % (1010 - 1080 nm) ピーク感度 980 nm 最小繰り返し率4 155 kHz 1. 1064 nm、減衰器搭載。その他の波長における最大出力については曲線を参照してください。 2. 980 nmで。公称値。実際値は周囲の電磁妨害および波長に応じて異なります。 3. 減衰器搭載。減衰器なしの較正不確実性についてはユーザーマニュアルを参照してください。 4. 詳細についてはユーザーマニュアルを参照してください。

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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。