集束イオンビームプローブ MI4050

新型光学系搭載により、世界最高水準のSIM像分解能・大電流対応による加工スピードの向上・低加速電圧観察時の分解能向上によるさらに高品位なTEM試料作製を実現した、高性能集束イオンビーム（FIB)装置です。 断面加工観察、高品位TEM試料作製、回路修正、ベクタースキャン加工、ミクロン～ナノスケールの微細パターニングやナノ金型加工、デポジションによる3次元構造物の作製など、多種多様なサンプルとアプリケーションを実現します。 最大プローブ電流90nAにより加工の高速化と大面積加工を実現 ワイヤーボンディングの断面加工 (加工サイズ　幅：95µm　深さ：55µm、 加工時間　20min) 極低加速電圧（0.5kV～）加工および低加速電圧時の二次電子像分解能向上により、更なる低ダメージTEM試料作製が可能 * 1kV以下はオプション 二次電子像分解能4nm＠30kVによる高分解能SIM像観察が可能