日立イオンミリング装置のスタンダードモデルであるIM4000IIは、断面ミリングと平面ミリング(フラットミリング®*1)に対応しています。冷却温度調整機能や雰囲気遮断ホルダユニットなど、各種オプションにより、さまざまな試料の断面試料作製が可能です。
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フラットミリングⓇは、日本国内における株式会社日立ハイテクの登録商標です。
中小企業等経営強化法に基づく支援措置の対象製品(生産性向上設備(A類型))です。
高ミリングレート
IM4000IIは500 µm/h*1以上の断面ミリングレートを実現したイオンガンを搭載しています。 硬質材料の断面試料作製に有効です。
断面ミリング時のスイング角度が変わると、加工幅や加工深さが変化します。下図はSiウェハをスイング角度±15°で断面ミリングしたときの結果です。スイング角度以外は上記加工条件と同一です。上記結果と比べて加工深さが深いことがわかります。
深部に対象構造がある試料の迅速な断面作製には有効です。