DRAMメモリ モジュール H5UG7HME03X020R

DDR5

ハイエンドメモリの新たな地平を切り拓く究極のDRAM 世界初のHBM3を2021年10月に開発 SK hynixは、HBM2Eの量産開始からわずか15ヶ月で、データセンター、スーパーコンピュータ、AIなどの最先端技術に対応する最新の広帯域メモリであるHBM3を開発し、高速DRAMにおけるリーダーシップを確固たるものにしました。 高度な放熱 HBM3は、同レベルの動作電圧でHBM2Eよりも低い温度で動作し、サーバーシステム環境の安定性を高めます。同等の動作温度で、SK hynix HBM3はHBM2Eの1.5倍の容量に相当する12ダイ・スタックをサポートし、1.8倍の帯域幅に相当する6GbpsのI/O速度を実現します。このように、SK hynixは同じ動作条件でより大きな冷却能力を実現することで、Memory ForEST*イニシアチブを実現しています。 パフォーマンスの向上 SK hynix HBM3は、同じパッケージの高さに12個のDRAMダイを積層することで、HBM2Eの1.5倍の容量を実現し、AIやHPCなどの容量集約型アプリケーションに最適です。1つのキューブで最大819GB/秒の帯域幅を実現できる一方、同じシリコン上に6つのHBMチップを搭載したSiP（システム・イン・パッケージ）では、エクサスケールの需要をサポートするために最大4.8TB/秒を達成できます。 オンダイECC SK hynix HBM3は、堅牢でカスタム設計されたオンダイECC（誤り訂正符号）も備えています。このECCは、事前に割り当てられたパリティビットを使用して、受信したデータのエラーをチェックし訂正します。この内蔵回路により、DRAMはセル内のエラーを自己訂正し、デバイスの信頼性を大幅に向上させます。