5Gスマートフォン向け次世代モバイルNANDフラッシュストレージ
最新と新の融合(V7 NANDと新SoC)
SK hynixのNANDフラッシュは、実績のある強固な技術プラットフォームに支えられ、モノダイの密度や利用可能な容量構成が進化し続けています。今回、UD310(UFS3.1)とUD220(UFS2.2)は、最新の176層4D NANDを搭載し、5Gスマートフォンの厳しい要件を満たすために小型・薄型パッケージに収められた大容量・高性能モバイルストレージとして発表されました。
UD310
世界初、176層NANDフラッシュ搭載のUFS3.1
SK hynixのUFS3.1は、V7 NANDフラッシュ技術で世界初のスマートフォンを実現します。
省スペースのパッケージ
UD310は、11x13mmに縮小されたパッケージと0.8mmの低いZ-heightを特徴とし、5Gハンドセットや様々なモバイル機器に快適にフィットし、発熱を抑え、より効率的に動作する。
世代を超えた大幅な性能向上
V7 NANDを搭載した当社のUFS3.1/UFS2.2は、UFS3.0/UFS2.1よりも大幅な性能向上を実現しています。
---