DRAMメモリ モジュール H9JKNNNFB3AECR-N6H

DRAMメモリ モジュール - H9JKNNNFB3AECR-N6H - Hynix
DRAMメモリ モジュール - H9JKNNNFB3AECR-N6H - Hynix
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特徴

タイプ
DRAM
メモリ

12 GB, 16 GB, 18 GB

詳細

小型化、低消費電力化、省エネルギー化 ローパワーの進歩 携帯電話ブランドがLPDDR5を新しい標準として採用し始める中、SK hynixは18GBの容量と6,400Mbpsの転送速度を持つLPDDR5を主要製品として紹介しています。LPDDR4X の 1.1V よりもさらに低い 1.05V の電力を使用する当社の LPDDR5 は、現在ハイエンド市場で最も人気のある 8GB、12GB、18GB DRAM のスマートフォンに完璧に適合しています。 2倍以上のスケーラビリティ LPDDR5は、LPDDR4の8バンクより2倍多い16バンクを搭載しているため、1サイクルで2倍の演算を実行でき、2倍速い6,400Mbpsの速度で動作します。 高い電力効率 LPDDR5の消費電源電圧は1.05Vで、LPDDR4Xが必要とする1.1Vより20%低減しています。

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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。