CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETは、CoolMOS™ P6シリーズの後継製品です。引き続き、高効率のニーズと設計プロセスにおける使いやすさのバランスを取っています。CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷 (QG) は、その高効率を保証します。
特徴の概要
効率
P7は優れたFOM RDS(on)xEossとRDS(on)xQGを可能にします。
使いやすさ
180mN以上のRDS(on)sからESDダイオードを内蔵
ゲート抵抗RG内蔵
堅牢なボディダイオード
スルーホールおよび表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ
標準グレードと産業グレードの部品が入手可能
メリット
効率性
優れたFOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現
使いやすさ
ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上
RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減
MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに適しています。
LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性
多様な最終用途および出力電力に対応
民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能
潜在的アプリケーション
TV電源
産業用SMPS
サーバー
電気通信
照明
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