MOSFETトランジスタ IPA60R160P7

電源スイッチング

600Vクールモス™ P7スーパージャンクションMOSFETは、600Vクールモス™ P6シリーズの後継器です。 高効率のニーズと設計プロセスの使いやすさのバランスを取り続けています。 クラス最高のRonxAと本質的に低いゲートチャージ（QG）により、CoolMOS™ 第 7 世代プラットフォームは高効率を保証します。 特長の概要： 効率 600V P7により、優れたFOM RDS（on）xEos sおよびRDS（on）xQG 使いやすさ180mN 以上のRDS（on）の 統合ゲート抵抗 RG 堅牢なボディダイオードを 実現します。スルーホールおよび表面実装パッケージ 両方の標準 グレードおよび産業用グレードの部品が利用可能です 利点： 効率 優れたFOMのRDS (on) xQG/RDS (on) xEossにより、E SDの故障を防ぐことにより、製造環境での使いやすさが向上します 統合されたRGはMOSFETの発振感度を低減します MOSFETは、PFCやLLCなどのハードスイッチングトポロジーと共振スイッチングトポロジーに適しており、 LLCトポロジーに見られるボディダイオードのハード整流時に優れた耐久性を 備えた幅広いエンドアプリケーションおよび出力電力に適した 民生用および産業用アプリケーションに適した部品