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MOSFETトランジスタ ISS55EP06LM
電源スイッチング大量

MOSFETトランジスタ - ISS55EP06LM - Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ - 電源 / スイッチング / 大量
MOSFETトランジスタ - ISS55EP06LM - Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ - 電源 / スイッチング / 大量
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特徴

タイプ
MOSFET
技術
電源, スイッチング
その他の特徴
大量
電流

-0.18 A

電圧

-60 V

詳細

SOT-23パッケージのOptiMOS™ Pチャネル60V MOSFETは、負荷スイッチ、バッテリ管理、および逆極性保護アプリケーションに最適です。OptiMOS™ PチャンネルMOSFETの主な利点は、中電力および低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを簡素化できることです。インフィニオンのOptiMOS™ PチャネルMOSFETは、マイクロコントローラ・ユニット(MCU)への容易なインターフェース、高速スイッチング、およびアバランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特長 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが入手可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コンシューマー 産業オートメーション 産業用ドライブ

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この販売者が参加する展示会

MWC 2025
MWC 2025

3-06 3月 2025 Barcelona (スペイン) ホール 2.1 - ブース 2.1A50Ex, 2.1A52Ex

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    *価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。