IGBTトランジスタ

電源

特徴: 状態の電圧の肯定的な温度係数による容易な平行になること 険しい極度ライトは(XPT™)設計結果をの打つ: - 10µsのための評価されるショートさせなさい。 -非常に低いゲート充満 -低いEMI -絶縁破壊電圧までの正方形の逆バイアスの安全運転区域(RBSOA) 薄いウエファーの技術は競争の低いVCEのSPTの設計結果と結合した(坐る) SONIC-FRD™のダイオード