2650シリーズ・ハイパワー・ソースメータSMUは、ダイオード、FET、IGBT、高輝度LED、DC-DCコンバータ、太陽電池やその他のハイパワー材料、コンポーネント、モジュール、サブアセンブリなどの高電圧/電流エレクトロニクスやパワー半導体の特性評価およびテスト専用に設計されています。 研究開発、プロダクション・テスト、信頼性テスト環境の生産性を高める、類を見ない出力、精度、速度、柔軟性、使いやすさを実現します。 最大3,000Vまたは最大2,000Wのパルス電流出力に対応する2つの機器を用意しています。
柔軟性の高い4象限電圧/電流ソース/負荷に加え、高精度な電圧/電流計を搭載
クラス最高の性能と6.5桁の分解能を誇ります。
最大2,000 Wのパルス・パワー(±40 V、±50 A)または最大200 WのDC電源(±10 V@±20 A、±20 V@±10 A、±40 V@±5 A)を供給するソースまたはシンク - 2つのユニットを簡単に接続(直列または並列)し、最大±100 Aまたは±80 Vのソリューションを実現可能
パワー半導体、HBLED、光デバイス、太陽電池、GaN、SiC、その他の化合物材料/デバイスの特性評価およびテストに対応しています。 半導体接合部温度の特性評価、高速かつ高精度なデジタル化、エレクトロマイグレーション解析、高電流/高パワー・デバイスのテストなどの用途に使用できます。
最大180 WのDC電源またはパルス・パワー(±3000 V@20 mA、±1500 V@120 mA)を供給するソースまたはシンク(2657A)
パワー半導体デバイス(GaN、SiC、その他の化合物材料/デバイスを含む)の特性評価やテスト、3 kVまでの破壊/リーク・テスト、およびミリ秒未満の過渡応答の特性評価に必要な高電圧を供給します。
Webブラウザ・ベースのソフトウェアを内蔵
コンピュータやブラウザの種類を問わず、あらゆる場所からリモートで制御できます。
デジタイズ測定モードまたは積分測定モードの選択
急速に変化する熱効果をはじめ、過渡的動作および定常状態動作の特性評価を高精度で行うことができます。