光電子増倍器と同様に、アバランシェフォトダイオードは極めて弱い光強度を検出するために使用されます。 SiAPDは250~1100nmの波長範囲で使用され、InGaAsはAPDでは1100~1700nmの波長範囲の半導体材料として使用されます。
APDモジュール
高速かつ信頼性の高い光検出。 APDモジュールには、アバランシェフォトダイオードを操作するためのドライバがすでに組み込まれています。
レーザーコンポーネント APD モジュールによって作られた
APD モジュールは、レーザーレーダー、測距計、データ転送、生物医学分析などのさまざまなアプリケーションで、非常に低い光レベルをすばやく簡単に検出できます。
APDモジュールは、プリアンプと高電圧電源を内蔵したシリコンまたはInGaAsのいずれかからなる低ノイズのアバランシェ・フォトダイオードをベースにしています。 温度補償機能により、広範囲の動作温度範囲にわたって一定のゲインでAPDを動作させることができます。
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