硬質プラスチック研磨機 CMP-Tribo

シ－ト自動ベンチトップ

ロジテックのトライボCMPシステムは、最大100mm径のダイまたはウェーハに対して、ナノメートルレベルの材料除去能力を提供します。 このCMPソリューションは、今日のデバイス製造プロセスで使用される様々なウェーハ/基板材料に適しています。 Tribo CMPシステムは、CMPの制御と層除去において業界標準を達成し、レーザー品質の表面（0/0スクラッチディグ）を生成し、表面トポグラフィーを向上させます。 また、サブナノメータレベルのRaを達成することも可能です。 この汎用性の高いシステムは、異なるキャリアヘッド、研磨テンプレート、ウェットベンチモジュール、またはエンドポイント検出器を使用することにより、カスタマイズすることができます。 トライボは、処理中の材料サンプルの様々なin-situ要因を特定し、分析するために、複数のセンサーを介して多数のデータ変数を収集することができます。 統合されたリアルタイム分析ソフトウェアにより、このデータを利用可能な情報に変換することができます。 このソフトウェアは、Microsoft Excelなどの標準的なパッケージに簡単にエクスポートすることができます。 Triboが使用できる具体的なアプリケーションは以下の通りです。 シリコンウェハーCMP III-V族化合物半導体のグローバルCMP 窒化ケイ素、酸化物、ポリマー層のグローバルCMP 脆くて壊れやすいIR材料基板のGlobal CMP サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素基板のGlobal CMP EPI対応基板の再生 SOSおよびSOIウェーハの20ミクロン以下への最終段階での薄型化 FAアプリケーションのリバースエンジニアリングに必要なデバイスの遅延処理 本装置の特徴および利点は以下の通りです。 インプロセスでのダイヤモンドコンディショニング 硬質材料と軟質材料の両方を処理 幅広いウェーハサイズに対応