-プロセスガスのサンプリングおよび希釈用加熱ガスサンプル希釈プローブ
-真空運転中の応答時間を短縮する加熱バイパスインジェクター付き
-プロセスへのガス再循環を内蔵したバイパスインジェクター
-希釈比30:1を標準とし、オプションで10:1~500:1まで選択可能
-希釈ガス・プリヒーターは、希釈ガスをサンプルプローブ温度まで加熱します。
-臨界オリフィス付き希釈ユニットをサンプルプローブの加熱部に設置
-サンプルプローブでのテストガス接続
- ガスサンプルプローブSP2000Hをベース
-フィルターハウジングと取付フランジはステンレス製で、最高温度まで加熱可能です。+220 °C [+608 °F]まで加熱可能です。
-フィルター気孔率2 µmのセラミックフィルターエレメント
-耐候性保護カバー付き
-容易な設置と低メンテナンス
-デッドボリュームが少ない
-電源:230 V
電気加熱式M&C希釈プローブは、測定手順やプロセスガスの取り扱いにおいて、サンプルガスや測定対象成分の希釈が必要なプロセスで使用されます。M&C希釈プローブSP2300H/DIL...は、実績のあるM&CガスサンプルプローブSP2000Hをベースにしているため、特殊なフィルター技術や材料などを必要とする様々なアプリケーションに、この希釈プローブで問題なく対応することができます。追加のバイパスインジェクターにより、応答時間を最小限に抑え、統合されたガス再循環により、サンプルガスをプロセスに戻すことができます。
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