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マグネトロン スパッタリング式貯蔵マシン PROvap熱蒸発によるイオン ビーム補佐薄膜
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特徴
- 技術
- マグネトロン スパッタリング式, 熱蒸発による, イオン ビーム補佐
- 貯蔵方法
- 薄膜
- その他の特徴
- 真空
- 応用
- マイクロエレクトロニクス産業, 光起電用途用
詳細
- グローブボックス一体型システム
- コンパクトで費用対効果の高いソリューション
- 簡単な構成設計
- 共蒸着
- 最大 +/-3 % の均一性（特定の形状設計では最大 +/1 %）。
- 2種類の標準サイズPROvap 4GとPROvap 5G
- 最大8つの蒸着ソースが可能
- 基板サイズは最大100x100 mmまたは直径100 mm。PROvap 4Gでは100 mm (4インチ)
- 基板サイズ：150x150 mmまたは直径150 mm (6インチ)まで。150 mm (6") PROvap 5G用
- OLED/有機エレクトロニクス
- OPV
- バッテリー
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