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マグネトロン スパッタリング式貯蔵マシン UNIvap
熱蒸発によるイオン ビーム補佐薄膜

マグネトロン スパッタリング式貯蔵マシン - UNIvap - Mbraun - 熱蒸発による / イオン ビーム補佐 / 薄膜
マグネトロン スパッタリング式貯蔵マシン - UNIvap - Mbraun - 熱蒸発による / イオン ビーム補佐 / 薄膜
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特徴

技術
マグネトロン スパッタリング式, 熱蒸発による, イオン ビーム補佐
貯蔵方法
薄膜
その他の特徴
真空
応用
マイクロエレクトロニクス産業, 光起電用途用

詳細

- スタンドアローンシステム - コンパクトで費用対効果の高いソリューション - 簡単な構成設計 - 共蒸着が可能 - 最大 +/-3 % の均一性 (特定の形状設計では最大 +/1 %) - 2種類の標準サイズUNIvap 4SとUNIvap 5S - 最大8つの蒸着ソースが可能 - 基板サイズ:最大100x100mmまたは直径100mm(UNIvap 4S)。UNIvap 4Sは100mm(4インチ)。 - 基板サイズ:150x150 mmまたは直径150 mm (6") まで。150 mm (6インチ) UNIvap 5S用 - OLED/有機エレクトロニクス - OPV

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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。