TO-263ハウジングの薄膜パワー抵抗器は、適切なサイズのヒートシンク(付属していません)を使用した場合、25℃で最大35ワット、ヒートシンクを使用しない場合は2ワットを供給できます。この抵抗器は低インダクタンス(<10nH)で、抵抗範囲は0.01Ω~51kΩ、抵抗許容差は±1%、熱抵抗は3.3K/Wです。260℃、20秒のリフローはんだ付けが可能です。M35は、太陽光発電やチャージコントローラーなど、さまざまな電力アプリケーションに使用されます。
260 °C / 20秒のリフロー工程におけるはんだ抵抗値
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