電源抵抗器 M126

金属膜低インダクタンス高周波

TO-126ハウジングの薄膜パワー抵抗器は、適切なサイズのヒートシンク（納入品には含まれません）を使用した場合、25 °Cで最大20ワット、ヒートシンクを使用しない場合は1ワットの性能を達成します。この抵抗器は低インダクタンス（<50nH）で、抵抗範囲は0.01Ω～51kΩ、抵抗許容差は±1%、熱抵抗は5.9K/Wです。また、小型でフラットな設計のため、電源回路、制御回路、駆動回路、車載用、幅広い高周波機器での使用に適しています。