フォトダイオードマイクロチップ XSJ-10-APD4-80-TR1

フォトダイオードマイクロチップ
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特徴

特性
フォトダイオード

詳細

アバランシェフォトダイオードチップ(APDチップ)は、ゲインを内蔵し、光電流を増幅するアクティブデバイスの一種です。本製品の特長は、上面がアノード、背面がカソードで、光学的な組み立てが容易なΦ80μmの上面照射型アクティブエリアを持ち、高応答性、高増倍率、低暗電流です。高性能2.5Gbps APDチップとTIAを組み合わせたTO-CANは、光レシーバの感度を向上させることができ、今日のFTTH(Fiber-to-the-Home)のデータ伝送を可能にするアプリケーションです。 1.Φ80μmアクティブエリア 2.上面が陽極、背面が陰極。 3.低暗電流。 4.優れた応答性と高ゲイン。 5.反射率<1.5% at 1550nm±50nm, <6% over 1250nm~1700nm. 6.データレートは2.5Gbps以上。 7.優れた信頼性すべてのチップは、Telcordia -GR-468-COREによって指定された認定要件に合格しています。 8.100%のテストと検査 9.RoHS2.0(2011/65/EU)準拠。 アプリケーション 1.安全なレーザー距離測定 2.光時間領域反射率計(OTDR) 3.光通信システム

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