フォトダイオードマイクロチップ XSJ-10-M-10000

InGaAsInP

上面照射型InGaAsモニターPINフォトダイオードチップは、上面が陽極、背面が陰極のプレーナー構造です。アクティブエリアはΦ10000μmで、900nmから1700nmの波長領域で高い応答性を有し、各種LDやその他モニタのバックファセットからの光出力のモニタに適用されます。 1.n+ InP基板上のプレーナー構造で、トップアノードコンタクトを有する。 2.アクティブエリアΦ10000μm。 3.高い責任。 4.低暗電流。 5.低動作バイアス電圧。 6. -40℃～85℃の動作範囲 7.優れた信頼性：すべてのチップは、Telcordia -GR-468-COREで規定された認定要件に合格しています。 9.100%の試験と検査。 10.カスタマイズされたチップ寸法は利用可能です。 アプリケーション 1.バックファセットレーザーパワーモニタリング