デジタルマイクロチップ XSJ-10-EMPD-120L

検出用InGaAsInP

XSJ-10-EMPD-120Lは、プレーナー構造の側面照射型InGaAs InP PINモニター用受光素子チップです。アノードとカソードは前面にあり、チップ側面の検出窓は120umX60umで、データセンターや通信用エッジエミッティングレーザーに適しています。980nm～1620nmの波長域で高い応答性を持ち、非密閉パッケージに適しています。 1.上面にPNボンドパッド 2.エッジ検出可能領域：120μmX60μm。 3.高信頼性、低暗電流。 4.100％のテストと検査。 5.非密封パッケージを満たす。 6.優れた信頼性：すべてのチップは、Telcordia -GR-468-COREによって指定された資格要件に合格しています。 7.RoHS2.0（2011/65/EU）に準拠しています。 アプリケーション 1.バックファセットレーザーパワーモニター 2.FTTHデジタル光通信 3.光相互接続