デジタルマイクロチップ XSJ-10-EMPD-120

検出用InGaAsInP

XSJ-10-EMPD-120は、プレーナー構造の側面照射型InGaAs InP PINモニター光検出器チップです。アノードが前面、カソードが背面にあり、チップ側検出窓は120umX60umで、データセンターや通信用エッジエミッティングレーザーに適しています。980nm～1620nmの波長域で高い応答性を持ち、非気密パッケージに適している。 1.上にPボンドパッド、下にNボンドパッド 2.エッジ検出可能領域：120μmX60μm。 3.高信頼性、低暗電流。 4.共晶はんだ付けプロセスに対応。 5.100%の検査とテスト。 6.非密封パッケージに対応。 7.優れた信頼性：すべてのチップは、Telcordia -GR-468-COREによって指定された資格要件に合格しています。 8.RoHS2.0（2011/65/EU）に準拠しています。 アプリケーション 1.バックファセットレーザーパワーモニター 2.FTTHデジタル光通信 3.光相互接続