検出用マイクロチップ S1000R

高ESD設計、高応答性、低暗電流、正照射タイプ、陽極が前面、陰極が背面、ラウンドアクティブエリアサイズはФ1000μm。900nm～1700nmの範囲で極めて高い応答性を持ち、主にLDバックライト検出に使用される。 1.高静電放電設計、高応答性(900nm~1700nm)、低暗電流、上面照明、陽極が上面、陰極が背面。 2.Φ=1000μm、円形アクティブエリア。 3.すべてのチップは、Telcordia -GR-468-CORE、RoHS2.0（2011/65/EU）準拠によって指定された資格要件に合格しています。