MOSFETマイクロチップ InnoSwitch3-TN series
出力

MOSFETマイクロチップ
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特徴

特性
出力, MOSFET

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内蔵された725V 一次側 MOSFET、同期整流及び二次側制御内蔵の高効率オフライン CV/CC QR フライバック スイッチング電源用 IC InnoSwitch3-TN ファミリーは、家電製品、コンシューマー向け製品、及び産業用途で使用される補助電源の効率を劇的に向上させます。この高性能フライバック コントローラは絶縁と非絶縁の両方の設計に最適で、最大負荷時の効率は最大 90%、負荷範囲全体にわたってフラットな効率、及び無負荷時の極めて低い待機電力を実現できます。InnoSwitch3-TN は、2 つの正電圧レール、または正電圧と負電圧レールの両方を備えた高精度 5 V 単出力電源として使用できます。 725 V 一次側 MOSFET、一次側及び二次側フライバック コントローラは、独自の FluxLink 通信チャネルを使用して結合されます。安全規格を取得した FluxLink 通信により、信頼性の高い同期整流と高精度 CV 及び CC 出力を実現します。包括的な安全機能には、出力過電流保護と過熱保護が含まれます。小型のMinSOP パッケージを採用し、外部部品点数が少ないため、InnoSwitch3-TN IC はコンパクトな設計に最適です。 絶縁と非絶縁の用途に最適 正出力及び負出力を備えたフライバック マルチモード疑似共振 (QR)/CCM フライバック コントローラ、725 V 一次側 MOSFET、二次側の電圧検出と電流検出、SR ドライバを搭載 内蔵 FluxLink™ フィードバック 小型パッケージにより基板面積を縮小 負荷範囲全体で高効率 外付け部品精度やトランスに依存しない高精度 CV/CC ゼロ負荷から最大負荷への過渡中において、5 V 出力の 20% レギュレーション制限に容易に適合 230 VAC 入力時の無負荷時消費電力 5 mW 未満 世界中のあらゆるエネルギー効率規制に容易に適合する設計を実現 最大負荷時効率最大 90% を達成 内蔵出力過電圧保護 SR FET のゲートオープン検出 ヒステリシス過熱保護機能 過負荷時の電力制限 15 W 未満 (5 V 及び 3 A 未満) 高精度内部 CC (定電流) 制限 絶縁電圧 4000 VAC を超える強化絶縁 生産ラインでの HIPOT 100% テストに対応 UL1577、TUV (EN62368-1)、CQC (GB4943.1) 安全認証を取得、VDE 0884-17 (EN60747-17) 承認申請中 EN61000-4-2、4-3 (30 V/m)、4-4、4-5、4-6、4-8 (100 A/m)、及び 4-9 (1000 A/m) などの EN61000-4 suite に対して "クラス A" 性能基準をクリアする設計が可能 ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合

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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。