MOSFET RVS35N60PN
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RVS35N60PNは、Rongtech DP MOS 技術を使用して製造されたNチャネル拡張モード高電圧パワーMOSFETです。 低い導電損失とスイッチング損失を実現します。 設計エンジニアは、高効率、高電力密度、優れた熱挙動を備えたパワーコンバータに導きます。 さらに、汎用的に適用可能であり、ハードおよびソフトスイッチングトポロジに適しています。
特長
♦ 新しい革新的な高電圧技術
♦ 超低ゲート充電
♦ 周期的な雪崩の定格
♦ 極端なdv/dt 定格
♦ 高ピーク電流能力
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Mosfet power semi conductors
*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。
