蒸発区域Ø 5つ- 20のmm
変化モニター
統合されたシャッター
evaporantの後部ローディング
VT SPMとLTのパッケージのためのSPM EFM 3
焦点プロダクト
EFM 3は薄膜の成長および分子線エピタキシャル成長法のために設計されている。 補助的単一層および多層システムは毎秒1000の単一層上のへの1分あたり1/10年の単一層から変わる蒸発速度と作り出すことができる。 Water-coolingは蒸発の間に低い背景圧力を(普通10-10 mbarの範囲で) -保障し、こうして超純粋なフィルムの成長を可能にする。
正確に定義されたevaporantビームはサンプルの非常に均一沈殿を可能にする。 沈殿区域は3つの交換可能な出口の開きの選択および源からのサンプルへの間隔によって容易に定められる。
evaporantビームの部分はイオン化する。 これらのイオンが基質に当るとき、基質の表面で欠陥を作成し、エネルギーを沈殿させるかもしれない。 これを避けるためにはEFM 3はEFMに再びイオンを撃退するイオンサプレッサーが任意に装備されているかもしれない。
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