炭化ケイ素出力モジュール SEMITOP® E1/E2

最新のSiCポートフォリオを紹介 低インダクタンスパッケージによる炭化ケイ素の補完 新しいSEMITOP E1/E2シリコンカーバイドポートフォリオで、より高い電力密度を実現します。整流インダクタンスを4nHまで低減したSEMITOP E1/E2パッケージは、最新のSiC技術と完璧にマッチします。工業規格のピンレイアウトだけでなく、セミクロンはPCB設計とモジュールの並列化を簡素化するレイアウトも提供しています。 工業規格のパッケージデザインに加えて、SEMITOP E1/E2は従来のデザインに比べて熱抵抗を最大20%低減しています。これにより、チップの動作温度を下げることができ、製品寿命の延長や冷却設計の手間を軽減することができます。 SEMITOP E1/E2 工業規格パッケージ 4nHまでの低整流インダクタンス すべてのモジュールにケルビン源と温度センサーを搭載 1200VのSiC MOSFETをベースとした40Aから250Aまでのポートフォリオ ハーフブリッジ、Hブリッジ、シックスパックおよびTNPCトポロジー チップレベルでのマルチソース化によるサプライチェーンの安全性 Rthを20%低減したことによる高い電力密度 高いスイッチング周波数による磁気の低減 最適化されたセミクロンのピン配置により、プリント基板を簡素化