製品の特徴
IGBT 減衰吸収能力 -SNUT1
プロダクトは UPS、インバーター、電気溶接工、IGBT の高周波さざ波の吸収の保護、ピーク電圧クランプ、等のような電源、誘導加熱装置で広く利用されています。
一般的な技術パラメータ
参照規格: IEC 61071-2007 GB/T 17702-2013
誘電体:金属化ポリプロピレンフィルム
充填材:エポキシ樹脂
構造:非誘導性コイリング
性能パラメータ
容量範囲
0.33 μF~6.8 μF(25℃) ≪33μF~6.8μF
環境温度
-25℃~+85℃
電圧の使用
700VDC~ 2500VDC
偏差値の容量
±10% (標準)、±5% (ご要望に応じて)
誘電損失
tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25℃) tanσ≤0.0002(1000Hz,25
時定数(RC)
C≤0.33μF、RC≥15000S。
C>0.33μF、RC≥5000S
平均寿命
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