■ 磁気シールド構造、電磁妨害に優れた抑制効果を発揮(EMI)
■ 組み立て式設計、固い構造
■ 高インダクタンス、高電流、低磁性損失
■ 閉磁路構造、超低バズノイズ
■ 使用温度:-40℃~+125℃(製品自己発熱含む)
リマーク
■ 当データの測定環境温度:25℃。
■ 測定条件:100kHz, 1.0V。
■ 飽和電流:インダクタンスが初期値の25%下がった際、印可した実際直流電流値。
■ 昇温電流:製品温度をΔT40℃上昇した際、印可した実際直流電流値(Ta=25℃)。
■ ご注意:回路設計、レイアウト、PCBサイズ及び厚さ、散热システム等も製品の温度に影響します。
■ 最終応用する際、必ず製品の発熱状況をご確認ください。
環境
■ 梱包状態の保管条件:温度 5~40℃、湿度≤70%。
■ 未使用の製品をシールで密封し、上記条件でご保管ください。端子電極酸化による半田つけ性の劣化を避けるためです。
■ 保管期間は 12ヶ月以内でお願いします。保管期間を超えた場合、端子電極のはんだ付け性が劣化する可能性があります。
■ 高温、高湿、埃、ガス腐食などを伴う環境では保管しないで下さい。
■ 取扱注意してください。落下等により損壊しないようにしてください。
■ 手の油等が半田性に影響する可能性あるので、直接に手で端子を触らないでください。