IGBTトランジスタ STGD8NC60KD
スイッチング

IGBTトランジスタ - STGD8NC60KD - STMicroelectronics - スイッチング
IGBTトランジスタ - STGD8NC60KD - STMicroelectronics - スイッチング
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特徴

タイプ
IGBT
技術
スイッチング
電流

8 A

電圧

600 V

詳細

このIGBTは、先進のPowerMESH™プロセスを採用し、スイッチング性能と低オンステート動作の間の優れたトレードオフを実現しています。 主な特長 低オン電圧降下(VCE(sat)) 非常にソフトな超高速回復反平行ダイオード CRES/CIES比が低い(交差伝導感受性がない) 短絡耐量10µs

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MWC 2025
MWC 2025

3-06 3月 2025 Barcelona (スペイン) ホール 7 - ブース 7A61

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    *価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。