- 低い窒素-空孔中心(NV中心)濃度: 0.03 ppb以下
- 3種類のサイズをご用意
• 2.0 mm x 2.0 mm角
• 4.0 mm x 4.0 mm角
• 4.5 mm x 4.5 mm角
こちらの電子グレードの単結晶ダイヤモンドは、5 ppb以下の窒素濃度と、通常0.03 ppb以下の窒素-空孔中心(NV中心)濃度を有します。また、バックグラウンド不純物がホウ素濃度1 ppb以下と非常に低く、通常2000 cm2/V⋅sを超える電子移動となります。これらのダイヤモンドを使用して、as-grownのNV欠陥を調べたり、イオン注入またはエピタキシャル成長によって独自のNV欠陥を生成したりすることができます。また、放射線検出器などのカスタム仕様のダイヤモンド電子デバイス用だけでなく、高出力レーザやマイクロ電子デバイス用に、高い熱伝導性および光学的な透明性を有するヒートシンクとして利用する用途にもお使いいただけます。ダイヤモンドのサイズは2.0 mm x 2.0 mm角、4.0 mm x 4.0 mm角および4.5 mm x 4.5 mm角の3種類をご用意しております。