光起電性貯蔵マシン NEXUS IBD
イオン ビーム補佐

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特徴

方法
光起電性
技術
イオン ビーム補佐

詳細

NEXUS IBD イオンビーム蒸着システム ハードバイアス、絶縁層およびセンサー スタック蒸着に最適 Veecoの第3世代のNEXUS® イオン ビーム蒸着(IBD)システムは、80Gb/平方インチ センサーの歩留まり向上と将来のTFMHデバイス製造の厳しいご要望にお答えします。 CIP装置から最先端のCPP装置まで、幅広い装置に対応 MRAMアプリケーションおよびGMRとトンネル磁気抵抗(TMR)薄膜磁気ヘッドに最適 すべてのコリメーテド蒸着へのアプリケーションに対するCD制御を改善 蒸着柱の対称口から鋭い取り出しアングル プラットフォームは、PVD、IBEおよびその他の技術と簡単に統合されます。

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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。