エレクトロンビーム源 UNI-Bulb®

酸素、窒素および水素用単一バルブRFプラズマソース エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス デバイスの生産に最適 Veecoの単一バルブRFプラズマ ソースを使用すると、エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス原料のGaN成長のための最適条件かつ、プラズマの比類のない安定性と再現性を実現できます。ワンピースPBN（プラズマ ブリッジ ネトラライザ）ガス注入チューブおよびプラズマバルブは、優れた電力カップリングと熱除去用デュアル同軸RFコイルを結合します。カスタマイズされたアパーチャー プレートを含めた設計オプションにより、さらに性能を高めることができます。 ガス プラズマは、N2またはH2などの安定性の高いソース ガスをMBE成長に適した活性原子種および活性分子種に変換するための有効なツールです。Veeco UNI-Bulbは、特許取得済みの一体型PBN（プラズマ ブリッジ ネトラライザ）ガス注入管およびプラズマ バルブを特長としており、バルブ周りのガス漏れを排除できます。その結果生じるプラズマは安定性と再現性に優れ、ソースの再調整なしで数時間稼働することが可能です。 相互交換可能なアパーチャープレートは、GaNの成長、As/N混合原料、窒素ドーピング、水素洗浄および水素アシスト成長でのさまざまな気体コンダクタンス構成で使用可能です。出射孔設計によりビーム内のイオン コンテンツを最小限に抑え、中性活性種（原子および分子）を基板に向けます。カスタマイズされた均一性の高いアパーチャープレートは、通常の±1%の均一性を実現し、ほとんどの商用MBEシステムで使用できます。 225 台以上の出荷実績のある特許を有する設計 酸化物フリーの全PBNプラズマ バルブ構造 最適化された出射孔により、イオン コンテンツを最小限に抑え、優れた膜均一性を実現 プラズマの優れた安定性と再現性 GaNの成長、混合窒化物、Nドーピング、水素洗浄および水素アシスト成長に使用可能な構成 オートチューナー オプションによる安定した成長条件の維持と電力効率の最適化 性能と利点 Veeco UNI-Bulb RFプラズマ ソースは、MBEによる窒化物成長において世界で最もご好評をいただいています。窒化物成長のための最適条件を実現し、その実績はエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス アプリケーションでの記録的な結果により実証済みです。 記録的な結果は以下の通りです。 1.32μm GaInNAs/GaAs量子ウェル レーザーに対して低閾値電流を記録（タンペレ工科大学、2001年） 通信ネットワーク要件に対応する1.26μm InGaAsN面発光レーザーの生産（Cielo Communicationsおよびサンディア国立研究所、2001年） 77Kで160,000cm2/Vsecおよび13Kで51,700cm2/Vsecという記録的な高さの移動度によるAlGaN/GaN 2次元電子ガス構造の成長（カリフォルニア大学サンタバーバラ校、1999年） AlGaN/GaNのPI-HEMTは、小信号のRF性能および直流（DC)絶縁破壊など、MOVPEで作った最高のトランジスタと同等のゲート長の機能を示している（コーネル大学、1999年） 2.6μm/hという高いGaN成長速度を報告（東京大学、1999年）。通常、ソースは0.8～1.0μm/時の範囲のGaN成長速度で使用されます。 ビーム フラックスはイオン コンテンツの非常に少ない準安定窒素分子に多いことが大規模な分光学研究で分かっています。準安定分子はGaN成長において速い組み込み速度を示しており、高温な基板（およそ700～750°C）での成長速度は安定している（ウエスト バージニア大学、1999年）