2.0 - 12.0 µm、周囲温度、光学的に浸漬、光電磁気
PEMI-10.6は、非冷却型のHgCdTe光電変換素子で、半導体中の光電効果(磁場中で発生した電子と正孔の空間的な分離)を利用した光浸漬型IR検出器です。このデバイスは10.6μmで最大の性能を発揮するように設計されており、特にCWや低周波変調された放射線を検出するための大面積検出器として有用です。これらのデバイスは、内部に磁気回路を内蔵した特殊なパッケージに実装されています。3°くさび形のセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)窓は、不要な干渉の影響を防ぎ、汚染から保護します。
特徴
- 2.0~12.0μmのスペクトル範囲
- 周囲温度動作
- 超半透明マイクロレンズ技術の応用
- バイアス不要
- 1/fノイズなし
- DCから高周波までの動作
- 赤外線放射の偏光に敏感
パラメータ PEMI-10,6
材質. MCT
タイプ 光電磁石
浸漬。 非浸漬
冷却。 いいえ
波長/λopt/μm: 10.6
パッケージ PEM-SMA、PEM-TO8
窓:くさび型ZnSe ARコーティング
検出率/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,0x108
時定数のτ/ ns: ≤1,2
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