2.0 - 12.0 µm、周囲温度、光電磁気
PEM-10.6は、半導体中の光電磁効果(磁場中で光学的に生成された電子と正孔の空間的分離)を利用した非冷却型HgCdTe光起電力IR検出器です。10.6μmで最大の性能を発揮するように設計されており、特にCWや低周波変調された放射線を検出するための大面積検出器として有用です。これらのデバイスは、内部に磁気回路を内蔵した特殊なパッケージに実装されています。3°くさび形のセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)窓は、不要な干渉の影響を防ぎ、汚染から保護します。
特徴
- 2.0~12.0μmのスペクトル範囲
- 周囲温度動作
- バイアス不要
- 1/fノイズなし
- DCから高周波までの動作
- 赤外線放射の偏光に敏感
パラメータ。 PEM-10,6
材料:エピタキシャルHgCdTeヘテロ構造
タイプ 光電磁石
浸漬。 非浸漬
冷却。 いいえ
波長/λopt/μm: 10.6
パッケージ PEM-SMA、PEM-TO8
窓:くさび型ZnSe ARコーティング
検出率/D∗/cm⋅Hz1/2⋅W-1:≧1,0x107
時定数のτ/ ns: ≤1,2
---