2.4 - 4.3 µm、周囲温度
PV-4は、最高の性能と安定性を実現するために洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却型IR光起電力検出器です。デバイスはλopt = 4.0 μmで最大の性能を発揮するように最適化されています。カットオン波長はご要望に応じて最適化することができます。逆バイアスVbは、応答速度とダイナミックレンジを大幅に向上させる可能性があります。また、高周波数での性能向上にもつながりますが、バイアスをかけたデバイスに現れる1/fノイズは、低周波数での性能を低下させる可能性があります。
特徴
- 2.4~4.3 µmのスペクトル領域で高い性能を発揮
- 周囲温度動作
- バイアス不要
- 1/fノイズなし
パラメータ PV-4
材質. MCT
タイプ。 太陽光発電
浸漬。 非浸漬
冷却。 いいえ
波長/λopt/μm: 4
パッケージ BNC、TO8、TO39
窓。 いいえ
検出率/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-: ≥3,0x109
時定数のτ/ ns: ≤150
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