屈折率検出器 PVI-4TE-4

半導体式動的半球状

2.2 - 4.2 µm、4段熱電子冷却、光学的に浸漬 PVI-4TE-4は、最高の性能と安定性を実現するために、デバイスのパラメータを改善するために光学的に浸漬された洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした4段の熱電子冷却型IR光起電力検出器です。検出器はλopt = 4.0 μmで最大の性能を発揮するように最適化されています。カットオン波長はご要望に応じて最適化することができます。逆バイアスVbは、応答速度とダイナミックレンジを大幅に向上させる可能性があります。また、高周波数での性能向上にもつながりますが、バイアスをかけたデバイスに現れる1/fのノイズは、低周波数での性能を低下させる可能性があります。3°ウェッジドサファイア(wAl2O3)窓により、不要な干渉の影響を防ぎます。 特徴 - 2.2～4.2 µmのスペクトル領域で高い性能を発揮 - 4段式熱電冷却 - 超半透明マイクロレンズ技術の応用 - バイアス不要 - 1/fノイズなし パラメータ PVI-4TE-4 材質. MCT タイプ。 太陽光発電 没頭。 イマージョン 冷却。 4段階 波長/λopt/μm: 4 パッケージ TO8、TO66 窓：くさび状のAl2O3 検出率/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥4.0x1011 時定数のτ/ ns: ≤100