Infineon/インフィニオン・テクノロジーズの大量トランジスタ

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
IPD900P06NM

電流: -16.4 A
電圧: -60 V

... スイッチングが可能で、アバランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 潜在的アプリケーション バッテリー 民生用 産業オートメーション 産業用ドライブ ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
ISP75DP06LM

電圧: -60 V

... およびアバランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特長 ほとんどの製品がAEC Q101に適合 広いRDS(on)範囲 ノーマル・レベルとロジック・レベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コンシューマー ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
IPD25DP06NM

電流: -6.5 A
電圧: -60 V

... スイッチングが可能で、アバランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 潜在的アプリケーション バッテリー 民生用 産業オートメーション 産業用ドライブ ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
ISP25DP06LM

電流: -1.9 A
電圧: -60 V

... インターフェース、高速スイッチング、およびアバランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特長 ほとんどの製品がAEC Q101に適合 広いRDS(on)範囲 ノーマル・レベルとロジック・レベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 潜在的アプリケーション バッテリー ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
ISP12DP06NM

... スイッチング、およびアバランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特長 広いRDS(on)範囲 ロジックレベルで使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コンシューマー 産業オートメーション 産業用ドライブ ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
IPB110P06LM

電流: -100 A
電圧: -60 V

... 可能で、アバランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コンシューマー 産業オートメーション 産業用ドライブ ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
ISS55EP06LM

電流: -0.18 A
電圧: -60 V

... およびアバランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特長 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが入手可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コンシューマー 産業オートメーション 産業用ドライブ ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
ISS17EP06LM

電流: -0.3 A
電圧: -60 V

... およびアバランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが入手可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コンシューマー 産業オートメーション 産業用ドライブ ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
IPD25DP06LM

電流: -6.5 A
電圧: -60 V

... 可能で、アバランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴とし、低Qgにより低負荷時の効率を向上させます。 特徴の概要 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが使用可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コンシューマー 産業オートメーション 産業用ドライブ ...

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
ISP25DP06NM

電流: -1.9 A
電圧: -60 V

... およびアバランシェ耐量により、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。この製品は、低Qgにより低負荷時の効率を改善し、広いRDS(on)範囲を特長とするノーマルレベルとロジックレベルがあります。 特長 広いRDS(on)範囲 ノーマルレベルとロジックレベルが入手可能 利点 MCUへの容易なインターフェース 低Qgによる低負荷時の効率向上 高速スイッチング アバランシェ耐衝撃性 ターゲット・アプリケーション バッテリー コンシューマー 産業オートメーション 産業用ドライブ ...

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