Infineon/インフィニオン・テクノロジーズの抵抗トランジスタ

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSZ063N04LS6

電流: 40 A
電圧: 40 V

... されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM Qg x RDS(on)を29%改善 FOM Qgd x RDS(on)を46%改善 同期整流用に最適化 OR回路に最適 RoHS対応 ...

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Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSZ024N04LS6

電流: 130 A
電圧: 40 V

... されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM Qg x RDS(on)を29%改善 FOM Qgd x RDS(on)を46%改善 同期整流用に最適化 OR回路に最適 RoHS対応 ...

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC022N04LS6

電流: 139 A
電圧: 40 V

... されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM Qg x RDS(on)を29%改善 FOM Qgd x RDS(on)を46%改善 同期整流用に最適化 OR回路に最適 RoHS対応 ...

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSZ021N04LS6

電流: 147 A
電圧: 40 V

... されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM Qg x RDS(on)を29%改善 FOM Qgd x RDS(on)を46%改善 同期整流用に最適化 OR回路に最適 RoHS対応 ...

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC010N04LS6

電流: 285 A
電圧: 40 V

... されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM Qg x RDS(on)を29%改善 FOM Qgd x RDS(on)を46%改善 同期整流用に最適化 OR回路に最適 RoHS対応 ...

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC007N04LS6

電流: 381 A
電圧: 40 V

... されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM Qg x RDS(on)を29%改善 FOM Qgd x RDS(on)を46%改善 同期整流用に最適化 OR回路に最適 RoHS対応 ...

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MOSFETトランジスタ
MOSFETトランジスタ
BSC059N04LS6

電流: 381 A
電圧: 40 V

... されています。オン抵抗(RDS(on))と長所指数(FOM-RDS(on)×QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなるため、システム・コストの削減につながります。 主な特徴 代替製品との比較 RDS(on)を30%削減 FOM Qg x RDS(on)を29%改善 FOM Qgd x RDS(on)を46%改善 同期整流用に最適化 OR回路に最適 RoHS対応 ...

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