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電流: -16.4 A
電圧: -60 V
... アプリケーションの設計の複雑さを軽減 DPAKパッケージのOptiMOS™ PチャンネルMOSFET 60Vは、バッテリー管理、負荷スイッチ、逆極性保護アプリケーションをターゲットとした新技術です。Pチャネル・デバイスの主な利点は、中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを軽減できることです。MCUとのインターフェイスが容易で、高速スイッチングが可能で、アバランシェ耐量も高いため、高品質が要求されるアプリケーションに適しています。ノーマルレベルとロジックレベルがあり、広いRDS(on)範囲を特徴 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 40 A
電圧: 40 V
... クラス最高のRDS(on)と優れたスイッチング性能を兼ね備えたOptiMOS™ 6パワーMOSFET OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 40V ファミリーは、サーバー、デスクトップPC、ワイヤレス充電器、急速充電器、OR回路などのスイッチモード電源（SMPS）における同期整流など、さまざまなアプリケーションや回路向けに最適化されています。オン抵抗（RDS(on)）と長所指数（FOM-RDS(on)×QgおよびQgd）の改善により、設計者は効率を高めることができ、熱設計が容易になり、並列化 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 61 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 61 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 61 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 20 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 18 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 9 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 101 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
電流: 101 A
電圧: 600 V
... FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss が高効率を実現 使いやすさ ESD不良の発生を抑制し、製造環境での使いやすさを向上 RG内蔵によりMOSFETの発振感度を低減 MOSFETは、PFCやLLCのようなハードスイッチングと共振スイッチングの両方のトポロジーに適しています。 LLCトポロジーで見られるボディ・ダイオードのハード転流時の優れた耐久性 多様な最終用途および出力電力に対応 民生用および産業用アプリケーションに適した部品が入手可能 潜在的アプリケーション TV電源 ...
Infineon Technologies AG/インフィニオン・テクノロジーズ
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