SMDバリスタ

VDC: 4 V - 28 V

... チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ（CTVS®）は、過渡過電圧保護に理想的な表面実装可能なコンポーネントです。 ケースサイズEIA 01005 ～ EIA 2220、アレイおよびESD/EMIフィルタのシングルコンポーネントとして入手可能なこれらのコンポーネントは、自動車、産業、民生用電子機器の回路保護用に設計されています。 アプリケーションの分野は、高感度な電子機器およびデータラインの信頼性、高速、低クランプESD 保護から、厳しい過渡現象に対する保護のための高エネルギー吸収まで、幅広い分野です。 ...

VAC: 14 V - 40 V
VDC: 16 V - 56 V

... サイズ：0805、1206、1210、1812、2220、3225、AC 電圧：14 〜 40V、DC 電圧：16 〜 56V、ピーク電流（8/20 私たち）：120 〜 2000アンペア、過渡エネルギー定格：0.3 〜 21ジュール、ロードダンプ定格：1 〜 25ジュール。 高い動作温度範囲が利用可能 (AVY) ...

VAC: 11 V - 300 V
VDC: 14 V - 385 V

VDC: 9 V - 65 V
一次電流: 80 A - 300 A

... ● SMD 型金属酸化物バリスタ。 ● ESD 対策に最適。 ● AEC-Q200 認定済み。 ● 対称的な非直線性 V-I 特性は正 と負のサージを吸収します。 ● 高最大エネルギータイプ。 ● 動作温度は125 ℃ まで。 ● 低リーク電流。 ● 周期温度ストレスに対する高い耐性。 ● フローおよびリフローはんだ付け両方に適しています。 ● 製品はEU RoHS 要件を満たしています。 EU-RoHS 規制は、 電極、バリスタ素子、ガラスに含まれる鉛 ガラスには適していません。 ...

VDC: 3 V - 170 V
一次電流: 120 A - 2,000 A

VAC: 14 V - 40 V
VDC: 16 V - 56 V
一次電流: 800 A

... のC3Vシリーズは、電磁干渉（EMI）の広帯域フィルタリングと電子回路で発生する電圧スパイクの抑制を目的とした革新的な電子部品です。 この高レベルのデュアル保護は、電気モーターまたは対応するサブアセンブリへの統合に必須または推奨されます。動作中のオン/オフ切り替えによって誘導負荷が発生し、さらに電圧スパイクがトリガされます。 その結果、周波数領域で広帯域電磁干渉（EMI）が発生し、ノイズと妨害レベルが上昇し、電気回路に近く集積された敏感な電子素子の性能に影響を与えたり、損傷を与える可能性があります。 ...

VDC: 18 V
一次電流: 20 A - 30 A

... ZVEバリスタは、 IEC 1000-4-2または電磁適合性試験に使用されるその他の規格で規定されているものを含む、ESD 事象を抑制するように設計されています。 ZVEシリーズは、通常、 18VDC 以下で動作する回路基板レベルで集積回路やその他の部品を保護するために使用されます。 これらのデバイスの製造方法、設計および材料により、 高周波減衰 ／ ローパス・フィルタ 回路機能に適した静電容量特性が得られ、単一のデバイスでの抑制とフィルタリングを提供します。 ...